韩元手中并不是没有碳基芯片的其他制备方法。

‘碳基集成电路板制备信息’中有十数种不同的碳基芯片制取方法。

别说石墨烯这种理论基础材料制备了。

就是碳纳米管、碳纳米球这些粉末级的碳纳米材料都有可以用来进行制造碳基芯片。

其中有些在性能方面还要超出石墨烯单晶晶圆制备的碳基芯片，但韩元依旧选择了这个。

主要原因就是石墨烯单晶晶圆引出来了‘轨道杂化理论’。

而引出来的‘轨道杂化理论’能在一定程度上加强各国的化学学识。

当然，还有一个原因就是华国在石墨烯单晶晶圆这条路上走的最远，最方便华国接收。

人嘛，都是有私心的，韩元也不例外。

虽然现在他的目标已经转换，但这并不代表就要平等对待各国。

科学无国界，但科学家是有国界的。

模拟空间，化学实验室中，韩元已经完成了对石墨烯单晶晶圆的处理。

下一步是对其进行光蚀。

也就是所谓的光刻机加工。

离子注入不在这一步，离子注入需要在光刻机加工完后才能进行处理。

如果使用光刻机进行加工碳基芯片的话，其步骤和加工硅基芯片是一样的。

第一步是制造晶圆，硅基芯片的晶圆材料是单晶硅，碳基芯片的是石墨烯单晶。

当然，除了石墨烯单晶外，碳基芯片还可以使用碳纳米管、碳纳米球这些碳纳米材料的制备的。

这并不冲突。

晶圆制造完成，纯度等条件符合要求后第二步就是对进行涂膜。

这一步其实就是保存晶圆的步骤。

毕竟无论是碳基芯片还是硅基芯片，其晶圆材料被制造出来后都不会马上就使用。

在现实中，asl公司是制造芯片的超级厂商之一，但它的晶圆材料是来自进口的。

其主要来源就是小岛国。

从小岛国进口的超高精度的单晶硅晶圆从生产到切片到运输，都需要一段漫长的时间。

即便是制造出来晶圆，等到加工时再临时切片，也避免不了氧化作用。

所以就要对晶圆涂膜，让其能抵抗氧化以及耐温能力。

至于使用的材料，是为光阻材料中的一种，他之前保存石墨烯晶圆材料时，使用的就是一种避光树脂。

第三步是光刻机加工。

通过给晶圆涂上对紫外光敏感的化学物质，也就是光刻胶，通过控制遮光物的位置就可以得到芯片的外形。

然后再进行显影操作，通过溶剂去掉没有被照射或者被照射的部分，就可以得到刻蚀了电路图的芯片了。

而这一步结束后，才能进行第四步：搀加杂质，也就是所谓的离子注入。

将光蚀完成后的晶圆放入特定的化学离子混合液中，可以改变搀杂区的导电方式。

有些简单的芯片可以只用一层晶圆，但复杂的芯片，比如手机或电脑上用的cu都有很多层。

所以在制造复杂芯片时需要将这一流程不断的重复，然后在不同层开启一个或者多个窗口将其联接起来。

第四步完成后，就宣告一块芯片大致完成了。

接下里的就是对其进行测试、封装，然后再进行封装测试，包装。

剩下的就是将其售出，变成红彤彤的钞票了。

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